4N25光耦合器特性和规格：

•用于开启的红外LED正向电压：1.25V-1.5V（通常为1.3V，1.5V为绝对**正向电压）

•开启期间的红外LED正向电流：10毫安-60毫安（通常为10毫安，60毫安为绝对**正向电流）

•红外LED反向电压**值：5V

•红外LED反向电流**值：100uA

•晶体管集电极和发射极的**电压：70V

•允许电流槽晶体管集电极：100mA

•典型上升时间：2us

•典型秋季时间：2us

•芯片不需要额外的电源来工作。

4N25当量

4N25光耦IC有很多替代品，如4N26、4N27、4N28、4N33、MCT2 E、PC817。在更换之前，我们需要仔细检查参数和引脚配置。更换时不考虑电压、电流和频率参数可能导致**性损坏。

类似光耦集成电路

MOC3021（用于控制交流均方根电压的TRIAC光耦）、FOD3180（高速MOSFET），

4N25光耦合器集成了两个元件。一个是红外二极管，另一个是红外光电晶体管。红外二极管连接在1号和2号端子之间，光电晶体管连接在4号、5号和6号端子上。两个部件的内部设置如下所示。红外发光二极管发出的红外辐射在芯片外部是看不见的。整个辐射问题将在背景下进行研究。

我们将从微控制器获得+3.3电压脉冲，这些脉冲被驱动到红外二极管的正极。当红外二极管通电时，它会在内部发出红外线，当这些红外线落到光电晶体管上时，晶体管就会打开。当晶体管被调谐时，电流流过负载电路，电压就会在电机上显示出来。因此，当微控制器电路为4N25芯片提供高逻辑时，电机旋转。因此，4N25的这些时滞响应可以叠加，从而导致重大误差。因此，在高频段，需要考虑时间延迟。