光达林顿晶体管光耦能够提供更高的增益水平，因此也可以提供更高的灵敏度。尽管光达林顿有其缺点，但它对于某些应用是理想的光传感器。

    达灵顿晶体管基础知识！

    光电达林顿晶体管是使用标准晶体管达林顿配置的。在这种电路配置中，达林顿晶体管对的增益是两个单独晶体管的增益相乘的结果。

    基本的达林顿晶体管电路是通过获取输入晶体管的发射极并将其连接到第二晶体管的基极，然后将两个集电极连接在一起而形成的。该电路可以用作各种电路中的任何单个晶体管，但是具有非常高的电流增益。

    尽管达林顿本身几乎可以看作是电路块或组件，但它与基本晶体管之间确实存在一些差异。达林顿配置从输入晶体管的基极到输出晶体管的发射极的电压更高。对于光电达林顿来说是这样，因为在基础连接上可能添加了偏置，尽管在许多应用中，此状态一直保持打开状态，甚至无法使用。

    这意味着对于典型的硅器件，接通达林顿对所需的总基极发射极电压是0.7伏的两倍，即1.4伏。

    还要注意的另一点是，达林顿结构的饱和电压约为0.7伏，当光达林顿晶体管用于开关应用时，这可能会产生影响。这高于单个晶体管的晶体管，其中，例如，开关晶体管可以表现出大约0.2伏的饱和电压。

    还必须注意，达林顿对不如单个晶体管光耦快。这是因为**晶体管不能主动切断第二晶体管的基极电流。反过来，这会使整个设备或电路配置变慢，以减少电流或关闭。为了解决这个问题，第二晶体管通常在基极和发射极之间连接一个电阻。该电阻器还有助于防止来自输入晶体管的任何泄漏电流导通输出晶体管。对于小信号晶体管，该泄漏电流可以为纳安量级，对于功率晶体管，该泄漏电流可以高达数百微安量。选择基极发射极电阻的值时，它不会吸收要流经输出晶体管基极的大部分电流，同时又不允许泄漏电流产生等于晶体管导通电压的电压。待开发的输出晶体管。电阻器的典型值对于功率晶体管达林顿而言可能是几百欧姆，对于小信号版本而言可能是几千欧姆。

    光电达林顿晶体管基础知识!

    在光电达林顿晶体管配置中，**晶体管用作光电检测器，其发射极耦合到第二晶体管的基极。这提供了非常高的增益水平，但比具有**约20kHz频率的普通光电晶体管要慢得多。

    光电达林顿符号是标准光电晶体管符号和达林顿晶体管符号的组合。

    可以看出，像光电晶体管一样，光电达林顿符号表示基极连接常常不可用或处于开路状态。

    光达林顿仅在需要低频的地方使用。与光电二极管相对的光电晶体管的较低频率响应与与单个晶体管相对的达林顿配置的组合意味着光达林顿通常具有低频响应。有些可能只有几十kHz的带宽。集电极和发射极之间的导通电压也比单个晶体管高。

    尽管存在这些问题，光达林顿还是某些应用的理想组件。