CTR光耦参数选择的重要指标！

    其技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级和输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)总线、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。另外，数字信号的传输需要考虑信号的上升时间、下降时间、延迟时间以及存储时间等参数。

    电导率：发光管和感光三极管的最小电流比之比。

    绝缘电压：在发光管和感光三极管中，绝缘电压的最低值。

    集极-发射极电压：集极-发射极之间的最小耐压值耦合何时才能导通？何时截止？

    输出电流比是光耦合器的一个重要参数，通常用直流输出电流比表示。在输出电压保持不变的情况下，直流输出电流IC占直流输入电流IF的百分比。对于单感光三极管的光耦合器，CTR大部分在20%~300%(如4N35)范围内，PC817在80%~160%范围内，而Dallington型光耦合器可以达到100%~5000%。结果表明，只需要较小的输入电流就可以得到相同的输出电流。所以CTR参数和晶体管的hFE参数有一些相似性。CTR-IF特性曲线显示了线性光耦和普通光耦的特点。

    一般光耦的CTR-IF特性曲线是非线性的，尤其是IF较小时的非线性失真，因而不适合于传输模拟信号。线型光耦的CTR-IF特性曲线具有很好的线性性，尤其是当传输小信号时，其交流电流传递比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)与直流电流传递比CTR非常接近。所以，它适用于传输模拟电压或电流信号，可使输出和输入成线性关系。那是它的重要特征。

    采用光耦，主要是为了实现输入电路与输出电路之间的隔离，设计时必须遵循以下原则：所选择的光耦器件必须符合国内外有关隔离击穿电压的标准；4N&TImes；系列(如4N25、4N26、4N35)光耦器件目前在国内应用非常普遍，(如4N25、4N26、4N35)。考虑到这种光耦具有开关特性，线性度较差，适合传输数字信号(高低电平)，可用于单片机输出隔离，选择的光耦器件必须具有较高的耦合系数。

    光耦反馈式开关电源在开关电源的隔离和设计中，必须正确选择线性光耦器件的型号和参数，除一般光耦器件的选择原则外，还必须遵循以下原则：

    **，光耦的电流传输率(CTR)允许的范围为50%~200%。原因在于当CTR5.0mA时，能够正常地控制单片开关电源IC的占空比，这样就会增加光耦的功耗。如果CTR>200%，则在启动电路中或负载发生突变时，单片开关电源可能误触发，从而影响正常输出。

    如果用放大器电路来驱动光电耦合器，则必须精心设计，以确保能补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。

    推荐线性光耦，它的特点是CTR值可以在一定范围内作线性调节。

    先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。